บ้าน
เกี่ยวกับเรา
สินค้า
เทคโนโลยีและการประยุกต์ใช้งาน
บริการและแหล่งข้อมูล
ติดต่อเรา
คุณสมบัติ
- บริการเพิ่มมูลค่า
- วิดีโอ
ข่าว

บ้าน
เวเฟอร์
คนอื่น
แกลเลียมออกไซด์ Ga2O3

หมวดหมู่

ซีวีดี เอสไอซี
การเคลือบ CVD TaC
เวเฟอร์
เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์
กราไฟต์ชนิดพิเศษ
คาร์บอนไฟเบอร์
คนอื่น

สินค้าแนะนำ

ชิ้นส่วนสั่งทำพิเศษเคลือบด้วยแทนทาลัมคาร์ไบด์ TaC CVD
แหวนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์
ตัวกระตุ้นเซรามิก SiC ความแม่นยำสูง
ใบพายคานยื่นทำจากซิลิคอนคาร์ไบด์
ตัวนำกราไฟต์เคลือบ SiC อายุการใช้งานยาวนาน สำหรับ...
เครื่องมือกราไฟต์เคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์สำหรับงานเอพิแท็กซี
ถาด MOCVD เคลือบ SiC บริสุทธิ์สูง ป้องกันการเกิดออกซิเดชัน
โครงสร้างกระบอกเคลือบ SiC สำหรับตัวรองรับกระบอก
ชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ครึ่งหลังสำหรับการผลิตแบบเอพิแท็กเซียล

แกลเลียมออกไซด์ Ga2O3

แผ่นรองพื้นแกลเลียมออกไซด์ขนาด 2 นิ้ว
แผ่นรองพื้นแกลเลียมออกไซด์ขนาด 4 นิ้ว
สารตั้งต้น Ga2O3
การปลูกผลึก Ga2O3
แผ่นเวเฟอร์ GaAs | แผ่นเวเฟอร์ GaAs Epi | สารตั้งต้นแกลเลียมอาร์เซไนด์
แผ่นรองพื้นแกลเลียมไนไตรด์ | แผ่นเวเฟอร์ GaN

ข้อมูล

ข้อมูลบริษัท
ติดต่อเรา
การรับรองและเกียรติยศ
สินค้า

จดหมายข่าวฉบับใหม่

หากต้องการสอบถามข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือรายการราคา โปรดทิ้งอีเมลของคุณไว้ เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง

สอบถามราคา

ติดต่อเรา

86-13373889683
เลขที่ 1958 ถนน Jiangnan เขตเทคโนโลยีขั้นสูง Ningbo มณฑลเจ้อเจียง 315201 จีน
sales01@semi-cera.com

© ลิขสิทธิ์ - 2018-2027 : สงวนลิขสิทธิ์ทุกประการแผนผังเว็บไซต์
แผ่นเวเฟอร์อีพี, สักหลาดกราไฟต์และสักหลาดแข็งจากจีน, พื้นผิว SiC, เวเฟอร์ซิลิคอน, แทนทาลัมคาร์ไบด์, การเคลือบ TaC,

ส่งอีเมล