เวเฟอร์

ผู้ผลิตเวเฟอร์จากประเทศจีน ซัพพลายเออร์ โรงงาน

วัสดุต่าง ๆ บนแผ่นเวเฟอร์

แผ่นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ส่วนใหญ่ผลิตจากซิลิคอนผลึกเดี่ยว เนื่องจากมีปริมาณมาก คุณสมบัติทางไฟฟ้าดีเยี่ยม และเข้ากันได้กับกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์มาตรฐาน อย่างไรก็ตาม ขึ้นอยู่กับการใช้งานและข้อกำหนดเฉพาะ อาจใช้วัสดุอื่นในการผลิตเวเฟอร์ได้เช่นกัน ตัวอย่างเช่น:

ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่มีช่องว่างพลังงานกว้าง ซึ่งมีคุณสมบัติทางกายภาพที่เหนือกว่าวัสดุแบบดั้งเดิม ช่วยลดขนาดและน้ำหนักของอุปกรณ์แต่ละชิ้น โมดูล และแม้แต่ระบบทั้งหมด ในขณะเดียวกันก็ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพ

คุณลักษณะสำคัญของ SiC:

1. -ช่องว่างแถบความถี่กว้าง:ช่องว่างพลังงานของ SiC มีค่าประมาณสามเท่าของซิลิคอน ทำให้สามารถใช้งานที่อุณหภูมิสูงขึ้นได้ถึง 400°C
2. - ฟิลด์การแตกหักวิกฤตสูง:SiC สามารถทนต่อสนามไฟฟ้าได้มากกว่าซิลิคอนถึงสิบเท่า ทำให้เหมาะสำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้าแรงสูง
3. -ค่าการนำความร้อนสูง:ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ระบายความร้อนได้อย่างมีประสิทธิภาพ ช่วยให้อุปกรณ์รักษาอุณหภูมิการทำงานที่เหมาะสมและยืดอายุการใช้งานได้นานขึ้น
4. -ความเร็วการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนอิ่มตัวสูง:ด้วยความเร็วในการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนที่มากกว่าซิลิคอนถึงสองเท่า ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ช่วยให้สามารถสลับการทำงานได้บ่อยขึ้น ซึ่งส่งผลดีต่อการลดขนาดของอุปกรณ์

การใช้งาน:

• -อิเล็กทรอนิกส์กำลัง:อุปกรณ์กำลังไฟฟ้า SiC มีประสิทธิภาพยอดเยี่ยมในสภาพแวดล้อมที่มีแรงดันสูง กระแสสูง อุณหภูมิสูง และความถี่สูง ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการแปลงพลังงานได้อย่างมาก มีการใช้งานอย่างแพร่หลายในรถยนต์ไฟฟ้า สถานีชาร์จ ระบบเซลล์แสงอาทิตย์ ระบบขนส่งทางราง และโครงข่ายไฟฟ้าอัจฉริยะ

• -การสื่อสารด้วยคลื่นไมโครเวฟ:อุปกรณ์ RF ที่ใช้ SiC เป็นส่วนประกอบหลักอย่าง GaN นั้นมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อโครงสร้างพื้นฐานการสื่อสารไร้สาย โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับสถานีฐาน 5G อุปกรณ์เหล่านี้ผสมผสานคุณสมบัติการนำความร้อนที่ดีเยี่ยมของ SiC เข้ากับเอาต์พุต RF ความถี่สูงและกำลังสูงของ GaN ทำให้เป็นตัวเลือกที่เหมาะสมสำหรับเครือข่ายโทรคมนาคมความถี่สูงยุคใหม่

แกลเลียมไนไตรด์ (GaN)GaN เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบบแบนด์แก็ปกว้างรุ่นที่สาม ที่มีแบนด์แก็ปขนาดใหญ่ การนำความร้อนสูง ความเร็วการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนอิ่มตัวสูง และคุณลักษณะสนามการแตกตัวที่ดีเยี่ยม อุปกรณ์ GaN มีโอกาสใช้งานอย่างกว้างขวางในด้านความถี่สูง ความเร็วสูง และกำลังสูง เช่น ไฟส่องสว่างประหยัดพลังงาน LED จอแสดงผลโปรเจคเตอร์เลเซอร์ รถยนต์ไฟฟ้า โครงข่ายไฟฟ้าอัจฉริยะ และการสื่อสาร 5G

แกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs)GaAs เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่ขึ้นชื่อเรื่องความถี่สูง ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนสูง กำลังไฟฟ้าสูง เสียงรบกวนต่ำ และความเป็นเส้นตรงที่ดี มีการใช้งานอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมอิเล็กโทรออปติกและไมโครอิเล็กโทรนิกส์ ในด้านอิเล็กโทรออปติกส์ แผ่นรองพื้น GaAs ใช้ในการผลิต LED (ไดโอดเปล่งแสง), LD (ไดโอดเลเซอร์) และอุปกรณ์เซลล์แสงอาทิตย์ ในด้านไมโครอิเล็กโทรนิกส์ ใช้ในการผลิต MESFET (ทรานซิสเตอร์สนามแม่เหล็กโลหะ-เซมิคอนดักเตอร์), HEMT (ทรานซิสเตอร์ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนสูง), HBT (ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เฮเทอโรจังก์ชัน), IC (วงจรรวม), ไดโอดไมโครเวฟ และอุปกรณ์ฮอลล์เอฟเฟกต์

อินเดียมฟอสไฟด์ (InP)เป็นสารกึ่งตัวนำประเภทสารประกอบ III-V ที่สำคัญชนิดหนึ่ง โดดเด่นด้วยคุณสมบัติการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนสูง ความต้านทานต่อรังสีดีเยี่ยม และช่องว่างพลังงานกว้าง จึงมีการใช้งานอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมอิเล็กโทรออปติกและไมโครอิเล็กโทรนิกส์

ขอใบเสนอราคาเวเฟอร์ 

โปรดส่งข้อมูลวัสดุแผ่นเวเฟอร์ เส้นผ่านศูนย์กลาง ความหนา ชนิดการนำไฟฟ้า ความต้านทาน การจัดเรียงผลึก ข้อกำหนดพื้นผิว และจำนวนที่ต้องการ Semicera จะตรวจสอบข้อมูลที่ร้องขอและให้การสนับสนุนด้านการเลือกผลิตภัณฑ์และการเสนอราคาตามข้อกำหนดที่มีอยู่