รู้เบื้องต้นเกี่ยวกับการเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์
สารเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่มีการตกตะกอนด้วยสารเคมี (CVD) ของเราเป็นชั้นที่มีความทนทานและทนต่อการสึกหรอสูง เหมาะสำหรับสภาพแวดล้อมที่ต้องการการกัดกร่อนและทนต่อความร้อนสูงการเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ถูกทาเป็นชั้นบางๆ บนพื้นผิวต่างๆ ผ่านกระบวนการ CVD ซึ่งให้คุณลักษณะด้านประสิทธิภาพที่เหนือกว่า
คุณสมบัติที่สำคัญ
● -ความบริสุทธิ์เป็นพิเศษ: โดดเด่นด้วยองค์ประกอบที่บริสุทธิ์เป็นพิเศษของ99.99995%, ของเราการเคลือบ SiCลดความเสี่ยงในการปนเปื้อนในการทำงานเซมิคอนดักเตอร์ที่มีความละเอียดอ่อน
● -ความต้านทานที่เหนือกว่า: แสดงความต้านทานที่ดีเยี่ยมต่อการสึกหรอและการกัดกร่อน ทำให้เหมาะสำหรับการตั้งค่าสารเคมีและพลาสมาที่ท้าทาย
● -การนำความร้อนสูง: รับประกันประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้ภายใต้อุณหภูมิที่สูงมากเนื่องจากคุณสมบัติทางความร้อนที่โดดเด่น
● -เสถียรภาพมิติ: คงความสมบูรณ์ของโครงสร้างตลอดช่วงอุณหภูมิที่หลากหลาย ด้วยค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนที่ต่ำ
● - เพิ่มความแข็ง: มีระดับความแข็งอยู่ที่เกรดเฉลี่ย 40การเคลือบ SiC ของเราทนทานต่อแรงกระแทกและการขีดข่วนอย่างมาก
● -พื้นผิวเรียบ: ให้พื้นผิวเหมือนกระจก ลดการสร้างอนุภาคและเพิ่มประสิทธิภาพการดำเนินงาน
การใช้งาน
เซมิเซรา การเคลือบ SiCถูกนำมาใช้ในขั้นตอนต่างๆ ของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ได้แก่
-การผลิตชิป LED
-การผลิตโพลีซิลิคอน
-การเติบโตของคริสตัลเซมิคอนดักเตอร์
-ซิลิคอนและ SiC Epitaxy
-ออกซิเดชันและการแพร่กระจายความร้อน (TO&D)
เราจัดหาส่วนประกอบที่เคลือบ SiC ซึ่งสร้างขึ้นจากกราไฟท์ไอโซสแตติกความแข็งแรงสูง คาร์บอนเสริมด้วยคาร์บอนไฟเบอร์ และซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ตกผลึกใหม่ 4N ซึ่งปรับแต่งมาสำหรับเครื่องปฏิกรณ์ฟลูอิไดซ์เบดตัวแปลง STC-TCS, ตัวสะท้อนแสงยูนิต CZ, เรือเวเฟอร์ SiC, ไม้พาย SiCwafer, หลอดเวเฟอร์ SiC และตัวพาเวเฟอร์ที่ใช้ใน PECVD, ซิลิคอนเอพิแทกซี, กระบวนการ MOCVD.
ประโยชน์
● -ยืดอายุการใช้งาน: ลดการหยุดทำงานของอุปกรณ์และค่าบำรุงรักษาลงอย่างมาก ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการผลิตโดยรวม
● - ปรับปรุงคุณภาพ: ได้พื้นผิวที่มีความบริสุทธิ์สูงซึ่งจำเป็นสำหรับการแปรรูปเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งช่วยเพิ่มคุณภาพของผลิตภัณฑ์
● -เพิ่มประสิทธิภาพ: ปรับกระบวนการระบายความร้อนและ CVD ให้เหมาะสม ส่งผลให้รอบเวลาสั้นลงและให้ผลผลิตสูงขึ้น
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
● -โครงสร้าง: โพลีคริสตัลไลน์เฟส FCC β ส่วนใหญ่เน้น (111)
● -ความหนาแน่น: 3.21 ก./ซม.3
● -ความแข็ง: ความแข็ง 2500 วิคส์ (โหลด 500 กรัม)
● -ความเหนียวแตกหัก: 3.0 MPa·ม1/2
● -ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อน (100–600 °C): 4.3 x 10-6k-1
● -โมดูลัสยืดหยุ่น(1300 ℃)-435 เกรดเฉลี่ย
● -ความหนาของฟิล์มทั่วไป-100 ไมโครเมตร
● -ความหยาบของพื้นผิว-2-10 ไมโครเมตร
ข้อมูลความบริสุทธิ์ (วัดโดย Glow Discharge Mass Spectroscopy)
| องค์ประกอบ | ppm | องค์ประกอบ | ppm |
| Li | < 0.001 | Cu | <0.01 |
| Be | < 0.001 | Zn | <0.05 |
| อัล | <0.04 | Ga | <0.01 |
| P | <0.01 | Ge | <0.05 |
| S | <0.04 | As | < 0.005 |
| K | <0.05 | In | <0.01 |
| Ca | <0.05 | Sn | <0.01 |
| Ti | < 0.005 | Sb | <0.01 |
| V | < 0.001 | W | <0.05 |
| Cr | <0.05 | Te | <0.01 |
| Mn | < 0.005 | Pb | <0.01 |
| Fe | <0.05 | Bi | <0.05 |
| Ni | <0.01 |
|
