วิธีการ PART/1CVD (การสะสมไอสารเคมี):ที่ 900-2300°C โดยใช้ TaCl5 และ CnHm เป็นแหล่งแทนทาลัมและคาร์บอน, H₂ เป็นบรรยากาศรีดิวซ์, ก๊าซพาหะ Ar₂as, ฟิล์มสะสมปฏิกิริยาสารเคลือบที่เตรียมไว้มีขนาดกะทัดรัด สม่ำเสมอ และมีความบริสุทธิ์สูงอย่างไรก็ตาม มีปัญหาบางประการ...
อ่านเพิ่มเติม