LED Epitaxy Susceptor

คำอธิบายสั้น ๆ :

Semicera LED Epitaxy Susceptor ได้รับการออกแบบมาเพื่อใช้ในกระบวนการเติบโตที่เยื่อบุผิวของ GaN (แกลเลียมไนไตรด์) และ LED ประสิทธิภาพสูงอื่นๆ สร้างขึ้นจากวัสดุคุณภาพสูง ตัวรับนี้รับประกันความเสถียรของอุณหภูมิที่เหนือกว่า การกระจายความร้อนที่แม่นยำ และความทนทานที่ยาวนานในระบบการผลิต LED

ส่งอีเมลถึงเรา

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

เซมิเซราLED EpitaxySusceptor ได้รับการออกแบบมาเพื่อใช้ในเยื่อบุผิวกระบวนการเจริญเติบโตของ GaN (Gallium Nitride) และ LED ประสิทธิภาพสูงอื่นๆ สร้างขึ้นจากวัสดุคุณภาพสูง ตัวรับนี้รับประกันความเสถียรของอุณหภูมิที่เหนือกว่า การกระจายความร้อนที่แม่นยำ และความทนทานที่ยาวนานในระบบการผลิต LED

คุณสมบัติที่สำคัญ:

วัสดุและการออกแบบระดับพรีเมี่ยม:ผลิตจากวัสดุประสิทธิภาพสูงที่มีการนำความร้อนที่ดีเยี่ยมและมีความเสถียรภายใต้สภาวะที่มีอุณหภูมิสูง

การนำความร้อนที่เหนือกว่า:ปรับการกระจายอุณหภูมิให้เหมาะสมในระหว่างกระบวนการ LED epitaxy เพื่อให้มั่นใจถึงการเติบโตของชั้นที่สม่ำเสมอและผลิตภัณฑ์ LED คุณภาพที่เหนือกว่า

ความเสถียรที่อุณหภูมิสูง:สามารถทนต่ออุณหภูมิที่สูงมาก จึงมั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอตลอดวงจรการผลิต LED

วิศวกรรมความแม่นยำ:สร้างขึ้นด้วยความแม่นยำเพื่อตอบสนองความต้องการด้านคุณภาพที่เข้มงวดของการผลิต LED ที่มีประสิทธิภาพสูง ทำให้มั่นใจได้ถึงผลลัพธ์ที่เชื่อถือได้และสม่ำเสมอ

การใช้งาน:

LED Epitaxy:เหมาะสำหรับกระบวนการ epitaxy LED ที่ใช้ GaN และขั้นสูงอื่นๆ ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของ LEDเวเฟอร์การผลิต.

การผลิต LED ความสว่างสูง:เหมาะสำหรับการใช้งาน LED ประสิทธิภาพสูง เช่น ระบบไฟ จอแสดงผล และไฟแบ็คไลท์

การผลิต LED ขนาดใหญ่:เหมาะสำหรับใช้ในการผลิต LED ปริมาณมาก ให้ประสิทธิภาพที่ยาวนานและการบำรุงรักษาต่ำ

การปรับแต่ง:

เรามี LED Epitaxy Susceptors ขนาดที่กำหนดเองซึ่งปรับให้เหมาะกับความต้องการของระบบเฉพาะของคุณ ไม่ว่าคุณจะต้องการการออกแบบที่เป็นเอกลักษณ์หรือขนาดที่กำหนดเอง เราสามารถจัดหาโซลูชันที่ตรงกับความต้องการของคุณได้