-
การสำรวจดิสก์อีพิเทแอกเซียลของซิลิคอนคาร์ไบด์ของเซมิคอนดักเตอร์: ข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพและโอกาสในการใช้งาน
ในสาขาเทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์ในปัจจุบัน วัสดุเซมิคอนดักเตอร์มีบทบาทสำคัญ ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่มีช่องว่างแถบกว้าง โดยมีข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยม เช่น สนามไฟฟ้าที่มีการแยกย่อยสูง ความเร็วอิ่มตัวสูง ความ...อ่านเพิ่มเติม -
กราไฟท์แข็งสักหลาด – วัสดุที่เป็นนวัตกรรม เปิดศักราชใหม่ของวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
เนื่องจากเป็นวัสดุสักหลาดแข็งแบบกราไฟท์ชนิดใหม่ กระบวนการผลิตจึงค่อนข้างมีเอกลักษณ์เฉพาะตัว ในระหว่างกระบวนการผสมและการฟอก เส้นใยกราฟีนและเส้นใยแก้วจะทำปฏิกิริยากันเพื่อสร้างวัสดุใหม่ซึ่งยังคงรักษาทั้งค่าการนำไฟฟ้าที่สูงและความแข็งแรงสูงของกราฟีนและ ...อ่านเพิ่มเติม -
เวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) คืออะไร
เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ของเซมิคอนดักเตอร์ (SiC) ซึ่งเป็นวัสดุใหม่นี้ได้ค่อยๆ เกิดขึ้นในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา ด้วยคุณสมบัติทางกายภาพและทางเคมีที่เป็นเอกลักษณ์ ได้เพิ่มพลังใหม่ให้กับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ เวเฟอร์ SiC ที่ใช้โมโนคริสตัลเป็นวัตถุดิบ ได้รับการแปรรูปอย่างระมัดระวัง...อ่านเพิ่มเติม -
กระบวนการผลิตเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์
เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ทำจากผงซิลิกอนที่มีความบริสุทธิ์สูงและผงคาร์บอนที่มีความบริสุทธิ์สูงเป็นวัตถุดิบ และคริสตัลซิลิคอนคาร์ไบด์ถูกปลูกโดยวิธีการถ่ายโอนไอทางกายภาพ (PVT) และแปรรูปเป็นเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ 1 การสังเคราะห์วัตถุดิบ ซิลิกอนความบริสุทธิ์สูง...อ่านเพิ่มเติม -
การเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์: สิ่งใหม่ของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์
ด้วยการพัฒนาอย่างรวดเร็วของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ การเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) วัสดุใหม่จึงค่อยๆ กลายเป็นวัสดุหลักในอุตสาหกรรม กราไฟท์เคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์เซมิคอนดักเตอร์ที่มีอุณหภูมิสูง/แรงสูงอ่านเพิ่มเติม -
การเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์: ความก้าวหน้าครั้งใหม่ในด้านวัสดุศาสตร์
ด้วยการพัฒนาทางวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี การเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ที่เป็นวัสดุใหม่จะค่อยๆ เปลี่ยนแปลงชีวิตของเรา การเคลือบนี้ซึ่งเตรียมบนพื้นผิวของชิ้นส่วนโดยการสะสมไอทางกายภาพหรือทางเคมี การพ่น และวิธีการอื่นๆ ได้รับความสนใจอย่างมาก...อ่านเพิ่มเติม -
ถังกราไฟท์เคลือบ SiC
ในฐานะที่เป็นหนึ่งในองค์ประกอบหลักของอุปกรณ์ MOCVD ฐานกราไฟท์เป็นตัวพาและตัวทำความร้อนของสารตั้งต้น ซึ่งจะกำหนดความสม่ำเสมอและความบริสุทธิ์ของวัสดุฟิล์มโดยตรง ดังนั้นคุณภาพจึงส่งผลโดยตรงต่อการเตรียมแผ่น epitaxis และที่ ..อ่านเพิ่มเติม -
วิธีเตรียมการเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์
ปัจจุบันวิธีการเตรียมการเคลือบ SiC ส่วนใหญ่ประกอบด้วยวิธีเจลโซล วิธีการฝัง วิธีการเคลือบด้วยแปรง วิธีการพ่นพลาสมา วิธีปฏิกิริยาก๊าซเคมี (CVR) และวิธีการสะสมไอสารเคมี (CVD) วิธีการฝัง: วิธีการนี้เป็นวิธีการที่มีความละเอียดสูง...อ่านเพิ่มเติม -
ขอแสดงความยินดีกับ (Semicera) หุ้นส่วน SAN 'an Optoelectronics ของเราในราคาหุ้นที่สูงขึ้น
24 ต.ค. -- หุ้นใน San'an Optoelectronics เพิ่มขึ้นมากถึง 3.8 วันนี้ หลังจากที่ผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์ของจีนรายนี้กล่าวว่าโรงงานซิลิคอนคาร์ไบด์ของบริษัท ซึ่งจะจัดหากิจการร่วมค้าด้านชิปอัตโนมัติของบริษัทกับ ST Microelectronics ยักษ์ใหญ่ด้านเทคโนโลยีของสวิส เมื่อเสร็จสิ้น .อ่านเพิ่มเติม -
ข้อควรระวังในการใช้ชิ้นส่วนโครงสร้างอลูมินาเซรามิก
ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา เซรามิกอลูมินาถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในสาขาระดับสูง เช่น เครื่องมือวัด การรักษาพยาบาลด้านอาหาร เซลล์แสงอาทิตย์ เครื่องใช้ไฟฟ้าเครื่องกลและไฟฟ้า เซมิคอนดักเตอร์เลเซอร์ เครื่องจักรปิโตรเลียม อุตสาหกรรมยานยนต์ ทหาร การบินและอวกาศ และอื่นๆ...อ่านเพิ่มเติม -
โครงสร้างวัสดุและคุณสมบัติของซิลิกอนคาร์ไบด์เผาผนึกภายใต้ความดันบรรยากาศ
【 คำอธิบายโดยย่อ 】 ใน C, N, B สมัยใหม่และวัตถุดิบทนไฟไฮเทคที่ไม่ใช่ออกไซด์อื่น ๆ ซิลิกอนคาร์ไบด์เผาความดันบรรยากาศนั้นกว้างขวางและประหยัด และอาจกล่าวได้ว่าเป็นทรายหรือทรายทนไฟ ซิลิคอนคาร์ไบด์บริสุทธิ์มีสีใสไม่มีสี...อ่านเพิ่มเติม -
วิธีการผลิตอุปกรณ์ขนส่งท่อเตาซิลิกอนคาร์ไบด์
ท่อเตาซิลิกอนคาร์ไบด์มีอุณหภูมิสูง ทนต่อการสึกหรอ ทนต่อการกัดกร่อน ความแข็งสูง ความแข็งแรงสูง การนำความร้อนสูง ประสิทธิภาพการเปลี่ยนแปลงอย่างกะทันหันเย็นและร้อนสูง ต้านทานการเกิดออกซิเดชันที่ดีและคุณสมบัติที่ยอดเยี่ยมอื่น ๆ ในความหลากหลายของความร้อน ...อ่านเพิ่มเติม