บ้าน
เกี่ยวกับเรา
สินค้า
ติดต่อเรา
คุณสมบัติ
คำถามที่พบบ่อย
ข่าว
- ข่าวบริษัท
- ข่าวอุตสาหกรรม

บ้าน
เวเฟอร์
พื้นผิว SiC

หมวดหมู่

การเคลือบ CVD SiC
การเคลือบ CVD TaC
เทคโนโลยีการรักษาพื้นผิว
ซิลิคอนคาร์ไบด์เซรามิก
เซมิคอนดักเตอร์ควอตซ์
ผลิตภัณฑ์กราไฟท์เซมิคอนดักเตอร์
- กราไฟท์ซิลิโคน
- ส่วนประกอบกราไฟท์แบบไอโซสแตติก
คาร์บอนไฟเบอร์
เวเฟอร์
สินค้าเซรามิกมากขึ้น

สินค้าแนะนำ

แทนทาลัมคาร์ไบด์ TaC CVD เคลือบชิ้นส่วนที่กำหนดเอง
แหวนเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์
เอฟเฟกต์เซรามิก SiC ความแม่นยำสูง
ไม้พายคานยื่นแบบซิลิคอนคาร์ไบด์
ผู้ให้บริการกราไฟท์เคลือบ SiC อายุการใช้งานยาวนานสำหรับโซ...
เครื่องมือกราไฟท์เคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ สำหรับ Epitaxy C...
ถาด MOCVD เคลือบ SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูงต่อการเกิดออกซิเดชัน
โครงสร้างถังเคลือบ SiC สำหรับตัวรับถัง
ชิ้นส่วนครึ่งหลังของเซมิคอนดักเตอร์สำหรับอีปิแอกเซียล

พื้นผิว SiC

พื้นผิวเวเฟอร์ขัดเงากึ่ง HPSI SiC สองด้านที่มีความบริสุทธิ์สูง 4 นิ้ว
พื้นผิวเวเฟอร์ 3C-SiC
พื้นผิว SiC ชนิด N ขนาด 6 นิ้ว
พื้นผิว SiC ชนิด N ขนาด 4 นิ้ว
พื้นผิวซิลิคอนคาร์ไบด์|เวเฟอร์ SiC

<< < ก่อนหน้า 1 2

ข้อมูล

ประวัติบริษัท
ติดต่อเรา
การรับรองและเกียรติยศ
สินค้า

จดหมายใหม่

หากมีข้อสงสัยเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือรายการราคาของเรา โปรดฝากอีเมลของคุณไว้กับเรา แล้วเราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง

สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติมสำหรับรายการราคา

การติดต่อของเรา

86-13373889683
No. 777, Zhongguan West Road, Zhenhai District หนิงป่อ เจ้อเจียง 315201 CHN
sales01@semi-cera.com

© ลิขสิทธิ์ - 2018-2027 : สงวนลิขสิทธิ์แผนผังเว็บไซต์
การเคลือบแทซี, ศรีเวเฟอร์, แทนทาลัมคาร์ไบด์, สารตั้งต้น SiC, จีนกราไฟท์สักหลาดและสักหลาดแข็ง, เอพิ เวเฟอร์,

ส่งอีเมล์