ตัวพาการประมวลผล PSS สำหรับการส่งเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์

คำอธิบายสั้น ๆ :

ซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นเซรามิกชนิดใหม่ที่มีประสิทธิภาพด้านต้นทุนสูงและคุณสมบัติของวัสดุที่ดีเยี่ยม เนื่องจากคุณสมบัติต่างๆ เช่น ความแข็งแรงและความแข็งสูง ทนต่ออุณหภูมิสูง การนำความร้อนได้ดี และทนต่อการกัดกร่อนของสารเคมี ซิลิคอนคาร์ไบด์จึงสามารถทนทานต่อสารเคมีได้เกือบทุกชนิด ดังนั้น SiC จึงถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในการทำเหมืองน้ำมัน เคมี เครื่องจักร และน่านฟ้า แม้แต่พลังงานนิวเคลียร์ และกองทัพก็มีความต้องการพิเศษเกี่ยวกับ SIC การใช้งานปกติบางอย่างที่เราสามารถนำเสนอ ได้แก่ วงแหวนซีลสำหรับปั๊ม วาล์ว และเกราะป้องกัน ฯลฯ

เราสามารถออกแบบและผลิตตามขนาดเฉพาะของคุณด้วยคุณภาพที่ดีและระยะเวลาในการจัดส่งที่สมเหตุสมผล


รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

รายละเอียดสินค้า

บริษัทของเราให้บริการกระบวนการเคลือบ SiC โดยวิธี CVD บนพื้นผิวของกราไฟท์ เซรามิก และวัสดุอื่นๆ เพื่อให้ก๊าซพิเศษที่มีคาร์บอนและซิลิกอนทำปฏิกิริยาที่อุณหภูมิสูงเพื่อให้ได้โมเลกุล SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูง โมเลกุลที่สะสมอยู่บนพื้นผิวของวัสดุเคลือบ สร้างชั้นป้องกัน SIC

คุณสมบัติหลัก:

1. ความต้านทานการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง:

ความต้านทานการเกิดออกซิเดชันยังคงดีมากเมื่ออุณหภูมิสูงถึง 1,600 C

2. มีความบริสุทธิ์สูง: เกิดจากการสะสมไอสารเคมีภายใต้สภาวะคลอรีนที่อุณหภูมิสูง

3. ความต้านทานการกัดกร่อน: ความแข็งสูง, พื้นผิวที่กะทัดรัด, อนุภาคละเอียด

4. ความต้านทานการกัดกร่อน: กรด ด่าง เกลือ และรีเอเจนต์อินทรีย์

ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC

คุณสมบัติ SiC-CVD

โครงสร้างคริสตัล

เฟส FCC β

ความหนาแน่น

กรัม/ซม. ³

3.21

ความแข็ง

ความแข็งของวิคเกอร์

2500

ขนาดเกรน

ไมโครเมตร

2~10

ความบริสุทธิ์ของสารเคมี

%

99.99995

ความจุความร้อน

เจ·กก-1 ·K-1

640

อุณหภูมิระเหิด

2700

ความแข็งแกร่งของเฟล็กซ์เจอร์

MPa (RT 4 จุด)

415

โมดูลัสของยัง

เกรดเฉลี่ย (โค้ง 4 พอยต์, 1300°C)

430

การขยายความร้อน (CTE)

10-6K-1

4.5

การนำความร้อน

(W/mK)

300

สถานที่ทำงานเซมิเซรา
สถานที่ทำงานเซมีรา2
อุปกรณ์เครื่อง
การประมวลผลของ CNN, การทำความสะอาดด้วยสารเคมี, การเคลือบ CVD
บริการของเรา

  • ก่อนหน้า:
  • ต่อไป: