คุณสมบัติหลัก
1. ความต้านทานการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง:
ความต้านทานการเกิดออกซิเดชันยังคงดีมากเมื่ออุณหภูมิสูงถึง 1,600 C
2. มีความบริสุทธิ์สูง: เกิดจากการสะสมไอสารเคมีภายใต้สภาวะคลอรีนที่อุณหภูมิสูง
3. ความต้านทานการกัดกร่อน: ความแข็งสูง, พื้นผิวที่กะทัดรัด, อนุภาคละเอียด
4. ความต้านทานการกัดกร่อน: กรด ด่าง เกลือ และรีเอเจนต์อินทรีย์
ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC
คุณสมบัติ SiC-CVD | ||
โครงสร้างคริสตัล | เฟส FCC β | |
ความหนาแน่น | กรัม/ซม. ³ | 3.21 |
ความแข็ง | ความแข็งของวิคเกอร์ | 2500 |
ขนาดเกรน | ไมโครเมตร | 2~10 |
ความบริสุทธิ์ของสารเคมี | % | 99.99995 |
ความจุความร้อน | เจ·กก-1 ·K-1 | 640 |
อุณหภูมิระเหิด | ℃ | 2700 |
ความแข็งแกร่งของเฟล็กซ์เจอร์ | MPa (RT 4 จุด) | 415 |
โมดูลัสของยัง | เกรดเฉลี่ย (โค้ง 4 พอยต์, 1300°C) | 430 |
การขยายความร้อน (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
การนำความร้อน | (W/mK) | 300 |