Semicera มีการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) แบบพิเศษสำหรับส่วนประกอบและตัวพาต่างๆกระบวนการเคลือบชั้นนำของ Semicera ช่วยให้การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) บรรลุความบริสุทธิ์สูง ความเสถียรต่ออุณหภูมิสูง และความทนทานต่อสารเคมีสูง ปรับปรุงคุณภาพผลิตภัณฑ์ของผลึก SIC/GAN และชั้น EPI (ตัวรับ TaC ที่เคลือบด้วยกราไฟท์) และยืดอายุของส่วนประกอบเครื่องปฏิกรณ์ที่สำคัญการใช้การเคลือบ TaC แทนทาลัมคาร์ไบด์คือการแก้ปัญหาขอบและปรับปรุงคุณภาพของการเติบโตของผลึก และ Semicera ได้ค้นพบความก้าวหน้าในการแก้ปัญหาเทคโนโลยีการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (CVD) ซึ่งก้าวไปสู่ระดับสูงระดับสากล
ด้วยการถือกำเนิดของเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 8 นิ้ว ข้อกำหนดสำหรับกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ต่างๆ มีความเข้มงวดมากขึ้น โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับกระบวนการเอพิแทกซีซึ่งมีอุณหภูมิเกิน 2,000 องศาเซลเซียสวัสดุตัวรับแบบดั้งเดิม เช่น กราไฟต์ที่เคลือบด้วยซิลิคอนคาร์ไบด์ มีแนวโน้มที่จะระเหิดที่อุณหภูมิสูงเหล่านี้ ซึ่งขัดขวางกระบวนการเอพิแทกซีอย่างไรก็ตาม แทนทาลัมคาร์ไบด์ CVD (TaC) แก้ไขปัญหานี้ได้อย่างมีประสิทธิภาพ โดยทนต่ออุณหภูมิได้สูงถึง 2300 องศาเซลเซียส และมีอายุการใช้งานยาวนานขึ้นติดต่อเซมิร่า's การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ ฮาล์ฟมูนเพื่อสำรวจเพิ่มเติมเกี่ยวกับโซลูชันขั้นสูงของเรา
หลังจากหลายปีของการพัฒนา Semicera ได้พิชิตเทคโนโลยีของCVD TaCด้วยความพยายามร่วมกันของแผนก R&Dข้อบกพร่องเกิดขึ้นได้ง่ายในกระบวนการเจริญเติบโตของเวเฟอร์ SiC แต่หลังจากใช้งานแล้วแทคความแตกต่างมีนัยสำคัญด้านล่างนี้คือการเปรียบเทียบเวเฟอร์ที่มีและไม่มี TaC รวมถึงชิ้นส่วนของ Simicera สำหรับการเติบโตของผลึกเดี่ยว
มีและไม่มี TaC
หลังจากใช้ TaC (ขวา)
ยิ่งไปกว่านั้น Semicera'sผลิตภัณฑ์เคลือบ TaCมีอายุการใช้งานยาวนานขึ้นและทนต่ออุณหภูมิสูงได้ดีกว่าเมื่อเทียบกับการเคลือบ SiC.การตรวจวัดในห้องปฏิบัติการได้แสดงให้เห็นว่าของเราการเคลือบ TaCสามารถทำงานได้อย่างต่อเนื่องที่อุณหภูมิสูงถึง 2300 องศาเซลเซียส เป็นระยะเวลานานด้านล่างนี้เป็นตัวอย่างบางส่วนของตัวอย่างของเรา:
ตัวรับเคลือบ TaC
กราไฟท์พร้อมเครื่องปฏิกรณ์เคลือบ TaC
