แผ่นกราไฟท์เคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์เป็นวัสดุกราไฟท์ที่มีชั้นบางๆแทนทาลัมคาร์ไบด์บนพื้นผิวของสารตั้งต้น แทนทาลัมคาร์ไบด์ชั้นบางๆ มักเกิดขึ้นบนพื้นผิวของซับสเตรตกราไฟท์โดยเทคนิคต่างๆ เช่น การสะสมไอทางกายภาพ (PVD) หรือการสะสมไอสารเคมี (CVD) สารเคลือบนี้มีคุณสมบัติที่ดีเยี่ยม เช่น ความแข็งสูง ทนต่อการสึกหรอดีเยี่ยม ทนต่อการกัดกร่อน และมีเสถียรภาพที่อุณหภูมิสูง
Semicera มีการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) แบบพิเศษสำหรับส่วนประกอบและตัวพาต่างๆกระบวนการเคลือบชั้นนำของ Semicera ช่วยให้การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) บรรลุความบริสุทธิ์สูง ความเสถียรต่ออุณหภูมิสูง และความทนทานต่อสารเคมีสูง ปรับปรุงคุณภาพผลิตภัณฑ์ของผลึก SIC/GAN และชั้น EPI (ตัวรับ TaC ที่เคลือบด้วยกราไฟท์) และยืดอายุของส่วนประกอบเครื่องปฏิกรณ์ที่สำคัญ การใช้การเคลือบ TaC แทนทาลัมคาร์ไบด์คือการแก้ปัญหาขอบและปรับปรุงคุณภาพของการเติบโตของผลึก และ Semicera ได้ค้นพบความก้าวหน้าในการแก้ปัญหาเทคโนโลยีการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (CVD) ซึ่งก้าวไปสู่ระดับสูงระดับสากล
หลังจากหลายปีของการพัฒนา Semicera ได้พิชิตเทคโนโลยีของCVD TaCด้วยความพยายามร่วมกันของแผนก R&D ข้อบกพร่องเกิดขึ้นได้ง่ายในกระบวนการเจริญเติบโตของเวเฟอร์ SiC แต่หลังจากใช้งานแล้วแทคความแตกต่างมีนัยสำคัญ ด้านล่างนี้คือการเปรียบเทียบเวเฟอร์ที่มีและไม่มี TaC รวมถึงชิ้นส่วนของ Simicera สำหรับการเติบโตของผลึกเดี่ยว
ข้อดีหลักของแผ่นกราไฟท์เคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ ได้แก่ :
1. ทนต่ออุณหภูมิสูง: แทนทาลัมคาร์ไบด์มีจุดหลอมเหลวสูงและมีเสถียรภาพที่อุณหภูมิสูงที่ดีเยี่ยม ทำให้แผ่นกราไฟท์เคลือบเหมาะสำหรับใช้ในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูง
2. ความต้านทานการกัดกร่อน: การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์สามารถต้านทานการกัดกร่อนของสารเคมีที่มีฤทธิ์กัดกร่อนหลายชนิดและยืดอายุการใช้งานของวัสดุ
3. ความแข็งสูง: ความแข็งสูงของชั้นบางของแทนทาลัมคาร์ไบด์ให้ความต้านทานการสึกหรอที่ดีและเหมาะสำหรับการใช้งานที่ต้องการความต้านทานการสึกหรอสูง
4. ความเสถียรทางเคมี: การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์มีความเสถียรต่อการกัดกร่อนของสารเคมีได้ดีเยี่ยม และเหมาะสำหรับใช้ในสื่อที่มีฤทธิ์กัดกร่อนบางชนิด
มีและไม่มี TaC
หลังจากใช้ TaC (ขวา)
ยิ่งไปกว่านั้น Semicera'sผลิตภัณฑ์เคลือบ TaCมีอายุการใช้งานยาวนานขึ้นและทนต่ออุณหภูมิสูงได้ดีกว่าเมื่อเทียบกับการเคลือบ SiC.การตรวจวัดในห้องปฏิบัติการได้แสดงให้เห็นว่าของเราการเคลือบ TaCสามารถทำงานได้อย่างต่อเนื่องที่อุณหภูมิสูงถึง 2300 องศาเซลเซียส เป็นระยะเวลานาน ด้านล่างนี้เป็นตัวอย่างบางส่วนของตัวอย่างของเรา:
