Semicera มีการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) แบบพิเศษสำหรับส่วนประกอบและตัวพาต่างๆกระบวนการเคลือบชั้นนำของ Semicera ช่วยให้การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) บรรลุความบริสุทธิ์สูง ความเสถียรต่ออุณหภูมิสูง และความทนทานต่อสารเคมีสูง ปรับปรุงคุณภาพผลิตภัณฑ์ของผลึก SIC/GAN และชั้น EPI (ตัวรับ TaC ที่เคลือบด้วยกราไฟท์) และยืดอายุของส่วนประกอบเครื่องปฏิกรณ์ที่สำคัญ การใช้การเคลือบ TaC แทนทาลัมคาร์ไบด์คือการแก้ปัญหาขอบและปรับปรุงคุณภาพของการเติบโตของผลึก และ Semicera ได้ค้นพบความก้าวหน้าในการแก้ปัญหาเทคโนโลยีการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (CVD) ซึ่งก้าวไปสู่ระดับสูงระดับสากล
กราไฟท์เป็นวัสดุที่มีอุณหภูมิสูงที่ดีเยี่ยม แต่จะออกซิไดซ์ได้ง่ายที่อุณหภูมิสูง แม้ในเตาสุญญากาศที่มีก๊าซเฉื่อย ก็ยังสามารถเกิดออกซิเดชันได้ช้า การใช้การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) CVD สามารถปกป้องซับสเตรตของกราไฟท์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ โดยให้ความต้านทานต่ออุณหภูมิสูงเช่นเดียวกับกราไฟท์ TaC ยังเป็นวัสดุเฉื่อย ซึ่งหมายความว่ามันจะไม่ทำปฏิกิริยากับก๊าซ เช่น อาร์กอนหรือไฮโดรเจนที่อุณหภูมิสูงสอบถามรายละเอียดเพิ่มเติมแทนทาลัมคาร์ไบด์ CVD เคลือบ EPI Susceptor ตอนนี้!
หลังจากหลายปีของการพัฒนา Semicera ได้พิชิตเทคโนโลยีของCVD TaCด้วยความพยายามร่วมกันของแผนก R&D ข้อบกพร่องเกิดขึ้นได้ง่ายในกระบวนการเจริญเติบโตของเวเฟอร์ SiC แต่หลังจากใช้งานแล้วแทคความแตกต่างมีนัยสำคัญ ด้านล่างนี้คือการเปรียบเทียบเวเฟอร์ที่มีและไม่มี TaC รวมถึงชิ้นส่วนของ Simicera สำหรับการเติบโตของผลึกเดี่ยว
มีและไม่มี TaC
หลังจากใช้ TaC (ขวา)
ยิ่งไปกว่านั้น Semicera'sผลิตภัณฑ์เคลือบ TaCมีอายุการใช้งานยาวนานขึ้นและทนต่ออุณหภูมิสูงได้ดีกว่าเมื่อเทียบกับการเคลือบ SiC.การตรวจวัดในห้องปฏิบัติการได้แสดงให้เห็นว่าของเราการเคลือบ TaCสามารถทำงานได้อย่างต่อเนื่องที่อุณหภูมิสูงถึง 2300 องศาเซลเซียส เป็นระยะเวลานาน ด้านล่างนี้เป็นตัวอย่างบางส่วนของตัวอย่างของเรา:
