สารเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) ที่มีความบริสุทธิ์สูง มีเสถียรภาพที่อุณหภูมิสูง และทนทานต่อสารเคมีสูง

การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) ที่มีความบริสุทธิ์สูง มีเสถียรภาพที่อุณหภูมิสูง และทนทานต่อสารเคมีสูง

คำอธิบายสั้น ๆ :

การเคลือบ TaC เป็นวัสดุทนอุณหภูมิสูงรุ่นใหม่ที่มีเสถียรภาพในอุณหภูมิสูงกว่า SiC โดยทำหน้าที่เป็นสารเคลือบที่ทนต่อการกัดกร่อน ทนต่อการเกิดออกซิเดชัน และทนต่อการสึกหรอ สามารถใช้ในสภาพแวดล้อมที่สูงกว่า 2000 ℃ ซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลายใน ชิ้นส่วนปลายร้อนอุณหภูมิสูงพิเศษการบินและอวกาศรุ่นที่สามของการเติบโตของผลึกเดี่ยวเซมิคอนดักเตอร์และสาขาอื่น ๆ

ส่งอีเมลถึงเรา

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

Semicera มีการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) แบบพิเศษสำหรับส่วนประกอบและตัวพาต่างๆกระบวนการเคลือบชั้นนำของ Semicera ช่วยให้การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) บรรลุความบริสุทธิ์สูง ความเสถียรต่ออุณหภูมิสูง และความทนทานต่อสารเคมีสูง ปรับปรุงคุณภาพผลิตภัณฑ์ของผลึก SIC/GAN และชั้น EPI (ตัวรับ TaC ที่เคลือบด้วยกราไฟท์) และยืดอายุของส่วนประกอบเครื่องปฏิกรณ์ที่สำคัญ การใช้การเคลือบ TaC แทนทาลัมคาร์ไบด์คือการแก้ปัญหาขอบและปรับปรุงคุณภาพของการเติบโตของผลึก และ Semicera ได้ค้นพบความก้าวหน้าในการแก้ปัญหาเทคโนโลยีการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (CVD) ซึ่งก้าวไปสู่ระดับสูงระดับสากล

หลังจากหลายปีของการพัฒนา Semicera ได้พิชิตเทคโนโลยีของCVD TaCด้วยความพยายามร่วมกันของแผนก R&D ข้อบกพร่องเกิดขึ้นได้ง่ายในกระบวนการเจริญเติบโตของเวเฟอร์ SiC แต่หลังจากใช้งานแล้วแทคความแตกต่างมีนัยสำคัญ ด้านล่างนี้คือการเปรียบเทียบเวเฟอร์ที่มีและไม่มี TaC รวมถึงชิ้นส่วนของ Semicera สำหรับการเติบโตของผลึกเดี่ยว

ส่วนแทคสำหรับการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยว

การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ที่ต้านทานการสึกหรอ_ ปกป้องอุปกรณ์จากการสึกหรอและการกัดกร่อน ภาพเด่น

กราไฟท์พร้อมวงแหวนเคลือบ TaC

มีและไม่มี TaC

หลังจากใช้ TaC (ขวา)

นอกจากนี้ อายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์การเคลือบ TaC ของ Semicera ยังยาวนานกว่าและทนทานต่ออุณหภูมิสูงได้ดีกว่าการเคลือบ SiC หลังจากข้อมูลการวัดในห้องปฏิบัติการเป็นเวลานาน TaC ของเราสามารถทำงานได้นานที่อุณหภูมิสูงสุด 2300 องศาเซลเซียส ต่อไปนี้เป็นตัวอย่างบางส่วนของเรา: