เยื่อบุผิว LED สีน้ำเงิน/เขียว

คำอธิบายสั้น:

บริษัทของเราให้บริการกระบวนการเคลือบ SiC โดยวิธี CVD บนพื้นผิวของกราไฟท์ เซรามิก และวัสดุอื่นๆ เพื่อให้ก๊าซพิเศษที่มีคาร์บอนและซิลิกอนทำปฏิกิริยาที่อุณหภูมิสูงเพื่อให้ได้โมเลกุล SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูง โมเลกุลที่สะสมอยู่บนพื้นผิวของวัสดุเคลือบ สร้างชั้นป้องกัน SIC


รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

คุณสมบัติหลัก:

1. ความต้านทานการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง:

ความต้านทานการเกิดออกซิเดชันยังคงดีมากเมื่ออุณหภูมิสูงถึง 1,600 C

2. มีความบริสุทธิ์สูง: เกิดจากการสะสมไอสารเคมีภายใต้สภาวะคลอรีนที่อุณหภูมิสูง

3. ความต้านทานการกัดกร่อน: ความแข็งสูง, พื้นผิวที่กะทัดรัด, อนุภาคละเอียด

4. ความต้านทานการกัดกร่อน: กรด ด่าง เกลือ และรีเอเจนต์อินทรีย์

 ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC

คุณสมบัติ SiC-CVD

โครงสร้างคริสตัล เฟส FCC β
ความหนาแน่น กรัม/ซม. ³ 3.21
ความแข็ง ความแข็งของวิคเกอร์ 2500
ขนาดเกรน ไมโครเมตร 2~10
ความบริสุทธิ์ของสารเคมี % 99.99995
ความจุความร้อน เจ·กก-1 ·K-1 640
อุณหภูมิระเหิด 2700
ความแข็งแกร่งของเฟล็กซ์เจอร์ MPa (RT 4 จุด) 415
โมดูลัสของยัง เกรดเฉลี่ย (โค้ง 4 พอยต์, 1300°C) 430
การขยายความร้อน (CTE) 10-6K-1 4.5
การนำความร้อน (W/mK) 300

 

 
LED Epitaxy
未标题-1

  • ก่อนหน้า:
  • ต่อไป: