พื้นผิว GaAs แบ่งออกเป็นสื่อกระแสไฟฟ้าและกึ่งฉนวน ซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลายในเลเซอร์ (LD), ไดโอดเปล่งแสงเซมิคอนดักเตอร์ (LED), เลเซอร์อินฟราเรดใกล้, เลเซอร์กำลังสูงควอนตัมดี และแผงโซลาร์เซลล์ประสิทธิภาพสูงชิป HEMT และ HBT สำหรับเรดาร์ ไมโครเวฟ คลื่นมิลลิเมตร หรือคอมพิวเตอร์ความเร็วสูงพิเศษและการสื่อสารด้วยแสงอุปกรณ์ความถี่วิทยุสำหรับการสื่อสารไร้สาย 4G, 5G, การสื่อสารผ่านดาวเทียม, WLAN
เมื่อเร็วๆ นี้ สารตั้งต้นแกลเลียมอาร์เซไนด์ยังมีความก้าวหน้าอย่างมากใน mini-LED, Micro-LED และ LED สีแดง และมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์สวมใส่ AR/VR
| เส้นผ่านศูนย์กลาง | 50มม. |75มม. |100มม. |150มม |
| วิธีการเจริญเติบโต | เล็ค液封直拉法 |
| ความหนาของเวเฟอร์ | 350 หนอ ~ 625 หนอ |
| ปฐมนิเทศ | <100> / <111> / <110> หรืออื่นๆ |
| ประเภทสื่อกระแสไฟฟ้า | P – ชนิด / N – ชนิด / กึ่งฉนวน |
| ประเภท/สารเจือปน | Zn / Si / ไม่มีการเจือ |
| ความเข้มข้นของผู้ให้บริการ | 1E17 ~ 5E19 ซม.-3 |
| ความต้านทานที่ RT | ≥1E7 สำหรับเอสไอ |
| ความคล่องตัว | ≥4000 |
| EPD (ความหนาแน่นของหลุมกัด) | 100~1E5 |
| ทีทีวี | ≤ 10 อืม |
| โบว์/วาร์ป | ≤ 20 อืม |
| พื้นผิวเสร็จสิ้น | DSP/SSP |
| เลเซอร์มาร์ค |
|
| ระดับ | เกรดอีพีขัดเงา / เกรดเครื่องกล |
