แทนทาลัมคาร์ไบด์ที่มีรูพรุน วัสดุสนามร้อนสำหรับการเติบโตของผลึก SiC

แทนทาลัมคาร์ไบด์ที่มีรูพรุน วัสดุสนามร้อนสำหรับการเติบโตของคริสตัล SiC

คำอธิบายสั้น:

แทนทาลัมคาร์ไบด์ที่มีรูพรุนส่วนใหญ่ใช้สำหรับการกรองส่วนประกอบในเฟสก๊าซ การปรับการไล่ระดับอุณหภูมิเฉพาะที่ กำหนดทิศทางการไหลของวัสดุ การควบคุมการรั่วไหล ฯลฯ สามารถใช้กับแทนทาลัมคาร์ไบด์ที่เป็นของแข็ง (ขนาดกะทัดรัด) หรือการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์จาก Semicera Technology เพื่อสร้างส่วนประกอบในท้องถิ่น ที่มีความนำกระแสไหลต่างกัน

ส่งอีเมลถึงเรา

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

Semicera Semicera ให้การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) แบบเฉพาะสำหรับส่วนประกอบและตัวพาต่างๆกระบวนการเคลือบชั้นนำของ Semicera Semicera ช่วยให้การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) มีความบริสุทธิ์สูง มีความเสถียรต่ออุณหภูมิสูง และทนทานต่อสารเคมีสูง ปรับปรุงคุณภาพผลิตภัณฑ์ของผลึก SIC/GAN และชั้น EPI (ตัวรับ TaC ที่เคลือบด้วยกราไฟต์) และยืดอายุของส่วนประกอบเครื่องปฏิกรณ์ที่สำคัญการใช้การเคลือบ TaC แทนทาลัมคาร์ไบด์คือการแก้ปัญหาขอบและปรับปรุงคุณภาพของการเติบโตของผลึก และ Semicera Semicera ได้ค้นพบความก้าวหน้าในการแก้ปัญหาเทคโนโลยีการเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ (CVD) ซึ่งก้าวไปสู่ระดับขั้นสูงระดับสากล

หลังจากหลายปีของการพัฒนา Semicera ได้พิชิตเทคโนโลยีของCVD TaCด้วยความพยายามร่วมกันของแผนก R&Dข้อบกพร่องเกิดขึ้นได้ง่ายในกระบวนการเจริญเติบโตของเวเฟอร์ SiC แต่หลังจากใช้งานแล้วแทคความแตกต่างมีนัยสำคัญด้านล่างนี้คือการเปรียบเทียบเวเฟอร์ที่มีและไม่มี TaC รวมถึงชิ้นส่วนของ Simicera สำหรับการเติบโตของผลึกเดี่ยว

ส่วนแทคสำหรับการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยว

การเคลือบแทนทาลัมคาร์ไบด์ที่ต้านทานการสึกหรอ_ ปกป้องอุปกรณ์จากการสึกหรอและการกัดกร่อน ภาพเด่น

กราไฟท์พร้อมวงแหวนเคลือบ TaC

มีและไม่มี TaC

หลังจากใช้ TaC (ขวา)

นอกจากนี้ อายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์การเคลือบ TaC ของ Semicera ยังยาวนานกว่าและทนทานต่ออุณหภูมิสูงได้ดีกว่าการเคลือบ SiCหลังจากข้อมูลการตรวจวัดในห้องปฏิบัติการเป็นเวลานาน TaC ของเราสามารถทำงานได้นานที่อุณหภูมิสูงสุด 2300 องศาเซลเซียสต่อไปนี้เป็นตัวอย่างบางส่วนของเรา: