คำอธิบาย
การเคลือบ CVD-SiC มีลักษณะของโครงสร้างที่สม่ำเสมอ วัสดุขนาดกะทัดรัด ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการเกิดออกซิเดชัน มีความบริสุทธิ์สูง ทนต่อกรดและด่าง และรีเอเจนต์อินทรีย์ พร้อมคุณสมบัติทางกายภาพและเคมีที่เสถียร
เมื่อเปรียบเทียบกับวัสดุกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง กราไฟท์จะเริ่มออกซิไดซ์ที่อุณหภูมิ 400C ซึ่งจะทำให้เกิดการสูญเสียผงเนื่องจากการเกิดออกซิเดชัน ส่งผลให้เกิดมลภาวะต่อสิ่งแวดล้อมต่ออุปกรณ์ต่อพ่วงและห้องสุญญากาศ และเพิ่มสิ่งสกปรกในสภาพแวดล้อมที่มีความบริสุทธิ์สูง
อย่างไรก็ตาม การเคลือบ SiC สามารถรักษาความเสถียรทางกายภาพและเคมีได้ที่ 1,600 องศา ซึ่งมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมสมัยใหม่ โดยเฉพาะในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์
บริษัทของเราให้บริการกระบวนการเคลือบ SiC โดยวิธี CVD บนพื้นผิวของกราไฟท์ เซรามิก และวัสดุอื่นๆ เพื่อให้ก๊าซพิเศษที่มีคาร์บอนและซิลิกอนทำปฏิกิริยาที่อุณหภูมิสูงเพื่อให้ได้โมเลกุล SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูง โมเลกุลที่สะสมอยู่บนพื้นผิวของวัสดุเคลือบ สร้างชั้นป้องกัน SICSIC ที่เกิดขึ้นจะติดแน่นกับฐานกราไฟท์ ทำให้ฐานกราไฟท์มีคุณสมบัติพิเศษ จึงทำให้พื้นผิวของกราไฟท์มีขนาดกะทัดรัด ปราศจากรูพรุน ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการกัดกร่อน และต้านทานการเกิดออกซิเดชัน
แอปพลิเคชัน
คุณสมบัติหลัก
1. กราไฟท์เคลือบ SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูง
2. ทนความร้อนได้ดีกว่าและความสม่ำเสมอทางความร้อน
3. เคลือบคริสตัล SiC แบบละเอียดเพื่อพื้นผิวที่เรียบเนียน
4. มีความทนทานสูงต่อการทำความสะอาดด้วยสารเคมี
ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC
| SiC-CVD | ||
| ความหนาแน่น | (กรัม/ซีซี) | 3.21 |
| ความแข็งแรงของแรงดัดงอ | (เมปา) | 470 |
| การขยายตัวทางความร้อน | (10-6/เค) | 4 |
| การนำความร้อน | (W/mK) | 300 |
การบรรจุและการจัดส่ง
ความสามารถในการจัดหา:
10,000 ชิ้น / ชิ้นต่อเดือน
บรรจุภัณฑ์และการจัดส่ง:
การบรรจุ: การบรรจุแบบมาตรฐานและแข็งแรง
ถุงโพลี + กล่อง + กล่อง + พาเลท
ท่าเรือ:
หนิงโป/เซินเจิ้น/เซี่ยงไฮ้
เวลานำ:
| ปริมาณ(ชิ้น) | 1 – 1,000 | >1,000 |
| ประมาณเวลา(วัน) | 15 | ที่จะเจรจา |
